SiC Substrate
Deskripsyon
Silisyòm Carbide (SiC) se yon konpoze binè nan Gwoup IV-IV, li se sèl konpoze solid ki estab nan Gwoup IV nan Tablo Peryodik la, Li se yon semiconductor enpòtan.SiC gen ekselan pwopriyete tèmik, mekanik, chimik ak elektrik, ki fè li se youn nan pi bon materyèl pou fè aparèy elektwonik segondè-tanperati, segondè-frekans, ak gwo pouvwa, SiC a tou ka itilize kòm yon materyèl substra. pou GaN ki baze sou ble limyè-emisyon dyod.Koulye a, 4H-SiC se pwodwi yo endikap nan mache a, ak kalite konduktivite a divize an kalite semi-izolasyon ak kalite N.
Pwopriyete
| Atik | 2 pous 4H N-tip | ||
| Dyamèt | 2 pous (50.8mm) | ||
| Epesè | 350+/-25um | ||
| Oryantasyon | koupe aks 4.0˚ nan direksyon <1120> ± 0.5˚ | ||
| Oryantasyon Prensipal Flat | <1-100> ± 5° | ||
| Segondè Flat Oryantasyon | 90.0˚ CW soti nan plat prensipal ± 5.0˚, Si fas anlè | ||
| Longè plat prensipal | 16 ± 2.0 | ||
| Longè plat segondè | 8 ± 2.0 | ||
| Klas | Klas pwodiksyon (P) | Klas rechèch (R) | Klas enbesil (D) |
| Rezistivite | 0.015 ~ 0.028 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm |
| Dansite Micropipe | ≤ 1 mikropip/cm² | ≤ 1 0micropipes/cm² | ≤ 30 mikropip/cm² |
| Rugosité andigman | Si fas CMP Ra <0.5nm, C Face Ra <1 nm | N/A, zòn ki ka itilize > 75% | |
| TTV | <8 um | <10um | < 15 um |
| Bow | <±8 um | <±10um | < ± 15um |
| Defòme | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Fant | Okenn | Longè kimilatif ≤ 3 mm | Longè kimilatif ≤10mm, |
| Rayures | ≤ 3 reyur, kimilatif | ≤ 5 reyur, kimilatif | ≤ 10 reyur, kimilatif |
| Plak Egzagòn | maksimòm 6 plak, | maksimòm 12 plak, | N/A, zòn ki ka itilize > 75% |
| Zòn politip | Okenn | Zòn kimilatif ≤ 5% | Zòn kimilatif ≤ 10% |
| Kontaminasyon | Okenn | ||
